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    40ワットFMトランスミッターアンプ

    インジケータと回路の特性:

    /uploadfile/201003/9/DA2726147.gif
    部品リスト
    いいえコンポーネントないパラメータと記述FECモデル(注1)の数
    C1、C2、C4 5.5 - 50p小型セラミック微同調コンデンサ148-1613
    C3 100p 50Vセラミックコンデンサ(NP0)896-457 1
    C5、C6、C7 100n 50Vセラミックコンデンサ(X7R)146-227 3
    C8 100u 35V電解コンデンサ667-4191
    C9 500p 500V高周波容量(メタルクラッド注意2)1
    コンデンサC10 1nスレッド149-1501
    C11 16 - 100pマイカ微同調コンデンサ
    (アルコ424)1
    C12 25 - 150pマイカ微同調コンデンサ
    (アルコ423またはスプラーグGMA30300)1
    C13 300p 500V高周波容量(メタルクラッド注意2)1
    C14、C17 25p 500V高周波容量(金属クラッド注意2)2
    C15、C16 50p 500V高周波容量(金属クラッド注意2)2
    C18 100n 200Vセラミックコンデンサ1
    L1 64nHインダクタ直径1.2mmは6.5mm 4まで延伸周り8mm 1変わりの中空コイル径に線をエナメル
    L2 25nHインダクタ直径1.2mmは、長6.5mm 2まで延伸周り4mm 1変わりの中空コイル径に線をエナメル
    3周りビーズ上0.7mmエナメル線の直径が6穴にL2.5は219-8501を回す
    L4 210nHインダクタ直径1.2mmは6.5mm 8は12mm 1ミの長さが回る程度の中空のコイル径に線をエナメル
    L5 21nHインダクタ直径0.8mmは4mm 3まで延伸10mm 1ターンコイルの直径の周り中空に線をエナメル
    L6 41nHインダクタ直径0.8mmは4mm 4まで延伸周り6mm 1変わりの中空コイル径に線をエナメル
    2つのビード7-10のセットの電源リード線でL242 C5002
    L8は、L10 100nHインダクタ直径1.2mmは6.5mm 5まで延伸8mm周り2ターンの中空コイル径に線をエナメル
    L9 115nHインダクタ直径1.2mmは6.5mm 6まで延伸12mm周り1ターンの中空コイル径に線をエナメル
    R1 10K 0.5W可変抵抗(​​ポテンショメータ)108-5661
    R2 1.8K 0.5W金属被膜抵抗器333-8641
    R3 33R 0.5W金属被膜抵抗器333-4401
    D1、D2 BZX79C5V6 5.6V 400mWツェナーダイオード931-7792
    TR1 MRF171A(モトローラ)は、RFパワーMOSFET 1
    SK1 BNCソケット583-5091
    SK2 BNCやN型ソケット310-0251
      

      
    16 x 60 x 89mm3.4°C / Wヒートシンクおよびファン170-0881

    注:

    参照だけのためのFECモデル。
    短くて太い最小リード·インダクタンスの金属クラッド高周波容量。
    インダクタコイルの入力回路を小さくすることができるが、利便性、同一の大きいコイルを用いた出力回路を作るためである。


    アンプ写真


    40W出力パワー
    88-108 MHzの周波数範囲
    20dBゲイン
    + 28 V 3A DC電源
    高効率(70%で、MOSFETのAB級アンプ)
    以下のコンポーネント
    出力ローパスフィルタ(LPF)

    アセンブリ

    基板(PCB)100 X 85mm両面プリント回路を準備する。
    穴を通過するFETFETパワー管を開けます。
    PCB上4-6ドリル穴にシールドするPCBは、鋳造アルミボックスに固定。
    良好なデバイス、固定ヒートシンクとファンを設計する方法。
    鋳造アルミシールドボックスセット電源、入力および出力ソケットに穴を必要とした。
    PCB内の写真と概略図を参照するには、溶接部を切り取る。 エリアの背面と最も肯定的にPCBがグランドです。
    溶接されたコンポーネント。
    銅出力ローパスフィルタ(またはプリント回路基板)と分離されたシールドの増幅回路部の一部。
    出力ローパスフィルタ機能:フィルタは高調波をフィルタリングし、高出力RF出力のために重要である周辺無線局による干渉を低減するために使用される。 例えば、振幅比で-30dBの三次高調波を仮定します。 高調波電力が1mW、何です1Wアンプとき、しかし、アンプが40W高調波電力であるときは40mWで、干渉が問題となっている。 50dBより大きい回路高調波抑制。 問題の改ざんを伴わない場合には、ローパスフィルタを出力することができない。

    デバッギング

    バイアス調整:

    50オーム抵抗短絡(注:この回路は、入力は、自励発振になるケースではありません)と入力はR1電圧最小に転送されるすべての可変コンデンサの中央に転送されます。 + 28 V電源に接続され、電流が14mA今回でなければなりません。 1mAのように、電源電流R115を調整します。 あなたが見つけた場合は、現在の急激な増加は、自励発振回路は、よりシールドの分離が必要であることを示しているのがたくさんある。

    入力と出力のマッチング調整:

    推奨機器:
    (+ 28 V、3A)電力を制限
    擬似50W VHFアンテナ負荷
    500mW-1W FMトランスミッタ
    RF 40dBアッテネータ
    RFパワーメータ
    RFスペクトラム·アナライザとネットワーク·アナライザ

    あなたは、RFスペクトラム·アナライザとネットワークアナライザを使用している場合、これらの器具を調整するために使用することができる。 出力電力を測定するために使用されるRFパワーメータの500dB減衰を通して、1mW-50W RF信号、40Wダミー負荷終端の出力を結合するFMトランスミッターを介して入力にして、これらのデバイスがなければそれは問題ではありません。 ちょうど電圧監視点の測定と検出回路の右側には、RFパワー·メータを持っていない場合。 微調整コンデンサC1、C2、C4、C11、C12ので、最大出力パワーアンプを調節するために送信機の送信電力を設定します。

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