1.遅延の問題
同じコア周波数の下で、DDR2の実際の動作周波数はDDRの2倍です。 これは、DDR4メモリが標準のDDRメモリの2倍の2ビットプリリード機能を備えているためです。 言い換えると、DDR100はDDRと同様に、クロックの立ち上がり遅延と立ち下がり遅延と同時にデータ送信の基本的な方法を使用しますが、DDR200にはシステムコマンドデータを先読みするDDRの2倍の機能があります。 つまり、400MHzの同じ動作周波数では、DDRの実際の周波数はXNUMXMHzですが、DDRXNUMXはXNUMXMHzに達する可能性があります。
このようにして、別の問題が発生します。同じ動作周波数のDDRおよびDDR2メモリでは、後者のメモリ遅延は前者よりも遅くなります。 たとえば、DDR 200とDDR2-400の遅延は同じですが、後者の帯域幅は2倍です。 実際、DDR400-400とDDR 3.2の帯域幅は同じで、どちらも400GB / sですが、DDR200のコア動作周波数は2MHz、DDR400-100のコア動作周波数は2MHzであり、これはDDR400の遅延を意味します。 -400DDRXNUMXよりも高いです。
2.包装と発熱
DDR2メモリテクノロジーの最大のブレークスルーは、実際にはユーザーがDDRの2倍の伝送容量を考えていることではありませんが、発熱と消費電力が少ないため、DDR400はより高速な周波数の増加とブレークスルーを実現できます。 標準DDRのXNUMXMHZ制限。
DDRメモリは通常TSOPチップにパッケージされています。 このパッケージは200MHzでうまく機能します。 周波数が高くなると、その長いピンは高インピーダンスと寄生容量を生成し、その性能に影響を与えます。 安定性と周波数改善の難しさ。 これが、DDRのコア周波数が275MHZを突破するのが難しい理由です。 また、DDR2メモリはFBGAパッケージ形式を採用しています。 現在広く使用されているTSOPパッケージとは異なり、FBGAパッケージは、より優れた電気的性能と熱放散を提供し、DDR2メモリの安定した動作と将来の周波数の開発を保証します。
DDR2メモリは1.8Vの電圧を使用しますが、これはDDR標準の2.5Vよりもはるかに低いため、消費電力と熱が大幅に削減されます。 この変更は重要です。
上記の違いに加えて、DDR2にはOCD、ODT、PostCASのXNUMXつの新しいテクノロジーも導入されています。
①OCD（オフチップドライバー）：これはいわゆるオフラインドライバー調整です。 DDR IIは、OCDを通じてシグナルインテグリティを向上させることができます。 DDR IIは、プルアップ/プルダウン抵抗値を調整して、XNUMXつの電圧を等しくします。 OCDを使用して、DQ-DQSの傾きを減らしてシグナルインテグリティを向上させます。 電圧を制御することにより信号品質を改善します。
②ODT：ODTは内蔵コアの終端抵抗です。 データライン端子が信号を反射するのを防ぐために、DDRSDRAMを使用するマザーボードには多数の終端抵抗が必要であることがわかっています。 マザーボードの製造コストが大幅に増加します。 実際、メモリモジュールが異なれば、終端回路の要件も異なります。 終端抵抗のサイズによって、データラインの信号比と反射率が決まります。 終端抵抗が小さい場合、データラインの信号反射は低くなりますが、信号対雑音比も低くなります。 終端抵抗が高い場合、データラインの信号対雑音比は高くなりますが、信号反射も増加します。 そのため、マザーボードの終端抵抗はメモリモジュールと十分に一致することができず、信号品質にある程度影響します。 DDR2は、最適な信号波形を確保するために、独自の特性に応じて適切な終端抵抗を組み込むことができます。 DDR2を使用すると、マザーボードのコストを削減できるだけでなく、DDRでは比類のない最高の信号品質を得ることができます。
③PostCAS：DDRIIメモリの利用効率を向上させるために設定されています。 CAS後の動作では、CAS信号（読み取り/書き込み/コマンド）はRAS信号の0クロックサイクル後に挿入でき、CASコマンドは追加の遅延（追加レイテンシ）の後も有効なままです。 元のtRCD（RASからCASおよび遅延）はAL（Additive Latency）に置き換えられ、1、2、3、4、XNUMXに設定できます。CAS信号はRAS信号のXNUMXクロックサイクル後に配置されるため、ACT CAS信号が衝突することはありません。
一般に、DDR2 は多くの新しいテクノロジーを使用して、DDR の多くの欠点を改善しています。 現時点では、コストが高く、遅延が遅いという点で多くの欠点がありますが、技術の継続的な改善と改善により、これらの問題は最終的には解決されると考えられています。
（1）DDR2技術仕様
DDR2メモリの開始周波数は、DDRメモリの最高標準周波数である400Mhzから始まります。 生成できる周波数は、533Mhzから667Mhzをサポートするように定義されています。 標準動作周波数は200/266 / 333MHz、動作電圧は1.8Vです。 DDR2は、新しく定義された240 PIN DIMMインターフェイス規格を使用します。これは、既存のDDR 184PINDIMMインターフェイス規格とは完全に互換性がありません。 これは、DDR標準インターフェースを備えた既存のマザーボードすべてがDDR2メモリを使用できないことを意味します。 これは、DDR2メモリ規格の普及に対する大きな障害になります。 幸い、インテルの次世代プラットフォームは240PIN DDR2インターフェースを完全にサポートし、2年にDDR2005を普及させるための基盤を築きます。
DDR2メモリを使用したさまざまなグラフィックスカード製品が市場に出回っていることは、皆さんご存知かと思います。 ただし、グラフィック カードで使用される DDR2 メモリの製造基準と方法は、デスクトップ システム アプリケーションで使用される DDR2 テクノロジとはまったく異なります。 この記事では当分の間、詳細な区別はしませんが、多数のアプリケーションがグラフィック カードで既に利用可能であるのに、デスクトップ システムでは利用できない理由を誰もが理解する必要があります。
前世代の標準DDRテクノロジと比較すると、DDR2メモリテクノロジはシンプルで明確な方法を使用しています。 DDR2は、DDRと同様に、クロックの立ち上がり遅延と立ち下がり遅延と同時にデータ送信の基本的な方法を使用しますが、最大の違いは、DDR2メモリが4ビットの先読みを実行できることです。 標準DDRメモリの2BITプリリードの2倍。これは、DDR2がシステムコマンドデータのプリリードの2倍の容量を持っていることを意味します。 このため、DDR400はDDRの3200倍の完全なデータ伝送容量を取得するだけだと私は考えています。 だから著者は、DDRXNUMX XNUMXMhzはPCXNUMXとも呼ばれていると言っています。読み続けてください、なぜですか？
DDR2メモリテクノロジーの最大のブレークスルーポイントは、実際には審査員がDDRの400倍であると考える伝送容量ではなく、より低い発熱とより低い消費電力でより速い周波数増加を実現します。 標準DDRの2MHZ制限を突破します。 これはもっと魔法のようで、最大周波数制限を破り、さらには発熱と消費電力を削減しているように見えますか？ DDR4テクノロジーもいくつかの新しいテクノロジーを使用して上記の機能を完成させますが、重要なのはXNUMXBITの先読み機能にあります。 著者はあなたを段階的に案内します。
（2）DDR2の周波数と帯域幅
リリースされた2つのDDR2メモリ規格の周波数と帯域幅に加えて、DDR400MhzとDDR400Mhzの帯域幅は3.2GBと同じであることに注意してください。 また、デュアルチャネルメモリテクノロジーの助けを借りて、667MHZDDR2は最大10.6GB / Sの驚くべき帯域幅を提供します！
DDR2メモリの初期容量は256MB、最大512MB、1Gです。 デスクトップシステムで十分な容量保証を提供します。 理論的には、DDR2メモリパーティクルの高密度機能は、専門分野で広く使用されている4G以上の最大容量をサポートできます。 今後数年間で、PCシステムにnGBレベルの超容量をもたらす可能性さえあります。
DDR2 規格では、すべての DDR2 メモリが FBGA にパッケージ化されることが規定されています。 広く使われている TSOP とは異なり、d TSOP-II パッケージの場合、FBGA パッケージはより優れた電気的性能と放熱性を提供し、DDR2 メモリの安定した動作と将来の周波数の開発に優れた保証を提供します。 現在、グラフィック カード上のすべての DDR2 メモリ パーティクルは FBGA パッケージ モードで使用されています。 DDR2 メモリは 1.8V の電圧を使用しますが、これは DDR 標準の 2.5V よりもはるかに低い電圧であるため、消費電力と発熱が大幅に削減されます。 この変更は重要であり、DDR2 も可能です。メモリはノートブックやラップトップにより適しています。 このような低電圧で動作するのに、どうすれば周波数を上げることができるのでしょうか?
（3）DDR2の動作原理
ご存知のように、メモリの基本的な作業手順は、システムからのデータの先読み→メモリユニットキューへの保存→メモリI / Oバッファへの転送→処理のためのCPUシステムへの転送に分けられます。
DDRメモリは200MHZのコア周波数を使用します。これは400つのルートを介してI / Oキャッシュに同期的に送信され、XNUMXMHZを達成するための実際の周波数です。
DDR2は100MHZのコア周波数を使用します。これは、400つの伝送ルートを介してI / Oバッファに同期的に送信され、実際の周波数XNUMXMHZも実現します。
賢い治安判事はすでに謎を見てきました。 DDR2は4BITデータを先読みでき、2方向伝送を使用でき、DDRは200BITデータしか先読みできないため、400MHZを達成するために2本の100MHZ伝送ラインしか使用できないからです。 このように、DDR133は、合計周波数を下げることなくコア周波数を4MHZに完全に下げることができるため、より小さな熱放散とより低い電圧要件を簡単に実現できます。 さらに、コア周波数をさらに上げて166 * 4、200 * 4を達成し、最大800 * 2で4MHZに達することができます。 ただし、メモリの待ち時間が短いほどパフォーマンスが向上することは誰もが知っています。 次に、DDRXNUMXでは、XNUMXチャネル伝送の安定性とスムーズ性を確保し、電気的干渉とデータの競合を回避するために、DDRよりもわずかに大きいメモリが使用されます。 遅延設定。 賢い審査員も、これが実際には先見の明のあるデザインであることがわかると思います。
（4）DDR2の新機能テクノロジー
DDR IIの技術原則を理解した後、DDR IIのXNUMXつの主要な新機能であるOCD、ODT、およびPostCASを見てみましょう。
OCD（オフチップドライバー）、lso オフライン ドライブ調整として知られている DDR II は、OCD を通じてシグナル インテグリティを改善できます。 DDR II は、XNUMX つの電圧が等しくなるようにプルアップ/プルダウン抵抗値を調整します。 つまり、プルアップ＝プルダウンです。 OCD を使用して、DQ-DQS の傾きを減らすことで信号の完全性を向上させます。 電圧を制御して信号品質を向上させます。
ODTは、内蔵コアの終端抵抗です。 DDR I SDRAMを使用するマザーボードには、多数の終端抵抗が必要であることがわかっています。データラインごとに少なくともXNUMXつの終端抵抗が必要です。これは、マザーボードにとって少額のコストではありません。 信号線に終端抵抗を使用するのは、データ線端子が信号を反射しないようにするためであるため、一定の抵抗を持つ終端抵抗が必要です。 この抵抗は大きすぎるか小さすぎます。 抵抗が大きい回路の信号対雑音比は高くなりますが、信号の反射はより深刻になります。 抵抗が小さいと信号の反射を減らすことができますが、信号対雑音比が低下します。 さらに、異なるメモリモジュールには、まったく同じ終端抵抗要件がない場合があるため、マザーボードはメモリモジュールについてもより慎重になります。
DDR IIには終端抵抗が組み込まれており、DRAM粒子が動作しているときに終端抵抗をオフにし、動作していないDRAM粒子の終端抵抗をオンにして信号の反射を減らします。 ODTは、DDRIIに少なくともXNUMXつの利点をもたらします。 XNUMXつは、マザーボードの終端抵抗をなくすことで、マザーボードのコストが削減され、PCBボードの設計が容易になることです。 XNUMX番目の利点は、終端抵抗がメモリ粒子の「特性」と一致できるため、DRAMが最良の状態になることです。
CAS後は、DDRIIメモリの利用効率を向上させるために設定されています。 CAS後の動作では、CAS信号（読み取り/書き込み/コマンド）はRAS信号の0クロックサイクル後に挿入でき、CASコマンドは追加の遅延（追加レイテンシ）の後も有効なままです。 元のtRCD（RASからCASおよび遅延）はAL（Additive Latency）に置き換えられ、1、2、3、4、XNUMXに設定できます。CAS信号はRAS信号のXNUMXクロックサイクル後に配置されるため、ACT CAS信号が衝突することはありません。
通常の動作では、このときのさまざまなメモリ パラメータは次のとおりです。tRRD=2、tRCD=4、CL=4、AL=0、BL=4 (BL はバースト データ長、バースト長)。 tRRD (RAS から RAS までの遅延) は XNUMX クロック サイクル、tRCD (RAS から CAS までの遅延) は XNUMX クロック サイクルであるため、ACT (セグメント アクティベーション) と CAS 信号は XNUMX クロック サイクルで衝突します。 、ACT が XNUMX クロック サイクル後ろに移動しているため、後続のデータ転送の途中に BUBBLE のクロック サイクルがあることがわかります。
PostCASの動作を見てみましょう。 このときのメモリパラメータは、tRRD = 2、tRCD = 4、CL = 4、AL = 3、BL = 4です。 RASはACT信号の後のクロックサイクルで設定されるため、CASとACTは競合せず、tRCDはALに置き換えられます（実際、tRCDは削減されていないことが想像できますが、概念的な変更であり、CASはXNUMXクロック戻りますサイクルですが、ALはtRCDよりも短いため、信号コマンドの衝突は調整することでキャンセルできます）、DRAMは追加の遅延の間読み取りコマンドを保持します。 この設計により、ACTとCASが衝突しなくなり、メモリの読み取りタイミングにバブルが発生しなくなります。
PostCASとAdditiveLatencyを使用すると、次のXNUMXつの利点があります。
1.コマンドバスの衝突現象は簡単にキャンセルできます
2.コマンドバスとデータバスの効率を改善します
3.バブルがなければ、実際のメモリ帯域幅を改善できます
もう533つの通常のDOTHAN FSBは533で、これはDDR1を搭載したメモリはメモリ帯域幅をちょうど満たすことができますが、現在のノートブックDDR400はせいぜいDDR333しかなく、一般的に915はDOTHANのFSBを満たすことができません。 このとき、メモリがシステムのボトルネックになります。 2 プラットフォームが登場した後、2 から 400 までの DDR533 デュアルチャネル DDRXNUMX をサポートできます。
この時点で、実際には、シングルチャネルDDR2 533がDOTHANのFSBに完全に対応できること、つまりDDR2 533にデュアルチャネルがあり、FSB = 1066CPUのみがそれに対応できることを発見したかもしれません。 INTEL1066FSB Uが発表される前は、DDR2 533デュアルチャネルは基本的に無駄であるため、DDR2デュアルチャネルがSonamaプラットフォームにもたらすパフォーマンスの向上はごくわずかです。 ドーサンはソナマシステムのボトルネックになっています。 パフォーマンスを要求しない友人は、デュアルチャネルDDR2にお金をかける必要はありません。
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どのくらい遠くまで（長い）変換器のカバー？
送信範囲は、多くの要因に依存します。 真の距離は、建物やその他の障害物、受信機の感度、受信機のアンテナのような環境を使用して、高さをインストールするアンテナ、アンテナ利得に基づいています。 田舎でアンテナより高いと使用したインストール、距離ははるか遠くなります。
【実施例5W FMトランスミッタは、都市と故郷に使用します。
私は彼の故郷でのGPアンテナと米国の顧客の利用5WのFMトランスミッターを持っている、と彼は車でそれをテストし、それが10km（6.21mile）をカバー。
私はそれが5km（2mile）についてカバーし、私の故郷でのGPアンテナと1.24WのFMトランスミッターをテストします。
私はそれだけで5meter（300ft）についてカバーし、広州市のGPアンテナと984WのFMトランスミッターをテストします。
以下は、異なる電力のFMトランスミッタのおおよその範囲です。 （範囲は直径です）
0.1W〜5W FMトランスミッター：100M〜1KM
5W〜15W FM Ttransmitter：1KM〜3KM
15W〜80W FMトランスミッター：3KM〜10KM
80W〜500W FMトランスミッター：10KM〜30KM
500W〜1000W FMトランスミッター：30KM〜50KM
1KW〜2KW FMトランスミッター：50KM〜100KM
2KW〜5KW FMトランスミッター：100KM〜150KM
5KW〜10KW FMトランスミッター：150KM〜200KM
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