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内容
謝辞IX
章1はじめ1
1.1モチベーション................................................ .................... 1
1.2歴史観............................................... .... 2
1.3線形化とメモリ効果............................... 3
予約の1.4メインコンテンツ......................................... 4 ..
ブックの1.5概要............................................. ....... 6 ..
参考資料................................................. .................................. 8
章2一部回路理論と用語9
電気システムの2.1分類........................... 10
2.1.1線形システムとメモリ............................ 10
2.1.2非線形システム........................................... 13
非直線性の2.1.3共通施策.................. 15
2.2は、非線形システムにおけるスペクトルを計算............. 18
2.3メモリレススペクトラム·リグロース.................................. 21
2.4信号帯域幅に依存する非線形効果......... 25
非線形システムの2.5分析................................... 27
2.5.1ヴォルテッラ系列解析................................... 28
非線形応答の2.5.2直接計算...... 30
2.5.3二つボルテラモデリングアプローチ................ 34
2.6概要................................................ .................... 39
忘れないため2.7キーポイント............................................ 41
参考資料................................................. ................................ 41
RFパワーアンプXNUMXの第3メモリ効果
3.1効率................................................ ................... 43
3.2線形化................................................ .............. 45
3.2.1線形化と効率............................ 45
3.2.2の線形化技術................................. 46
3.2.3線形化とメモリ効果................... 48
3.3電気メモリ効果.......................................... 51
3.4電熱メモリ効果.................................. 56
3.5振幅ドメイン効果......................................... 59
メモリ効果なし3.5.1 5次分析60
3.5.2メモリ効果と五次解析...... 62
3.6概要................................................ .................... 66
忘れないため3.7キーポイント............................................ 67
参考資料................................................. ................................ 68
章4ボルテラモデル71
4.1非線形モデリング............................................... .... 71
4.1.1非線形シミュレーションモデル........................... 72
ボルテラモデルのプロパティを4.1.2 ............. 75
4.2非線形IVおよびQV特性...................... 77
4.2.1 IC-VBE-VCE特性................................ 78
4.2.2 GPIとRBB .............................................. .......... 82
4.2.3容量モデル......................................... 82
共通エミッタBJT / HBT増幅器の4.3モデル..... 84
4.3.1線形解析............................................... 。 84
4.3.2非線形解析........................................... 87
BJT CEアンプで4.4 IM3 ........................................ 95
二つの非線形ブロックのカスケードとして4.4.1 BJT ..... 95
4.4.2詳細BJT解析.................................... 102
4.5 MESFETモデルと分析.................................. 109
4.6概要................................................ .................. 115
4.7キー留意点.......................................... 117
参考資料................................................. .............................. 118
目次VII
ボルテラモデル5の章123特性
5.1フィッティング多項式モデル....................................... 124
5.1.1正確かつLMSEフィッティング................................. 124
フィッティングレンジ5.1.2影響................................. 126
5.2自己加熱効果............................................. .... 127
5.2.1は測定のパルス..................................... 129
5.2.2サーマル動作点................................ 131
5.3 DC IV特性.......................................... 133
5.3.1は、DC測定セットアップをパルス...................... 133
5.3.2フィッティングIV測定.............................. 134
5.4 AC特性フロー........................................ 136
5.5は、Sパラメータ測定のパルス........................... 137
5.5.1テストのセットアップ............................................... ....... 137
5.5.2校正................................................ ..... 139
5.6ディエンベディングパッケージの効果................ 140
5.6.1フル4ポートディエンベディング.............................. 141
5.6.2ディエンベディング平野ボンディングワイヤを.............. 143
小信号パラメータの5.7計算................... 145
5.8は、AC測定の取り付け................................... 147
非線形容量の5.8.1フィッティング.................. 147
ドレイン電流の非線形性5.8.2フィッティング.......... 149
5.9-WのBJTの1非線形モデル................................ 152
5.10-W MESFETの1非線形モデル........................ 155
5.11-WのLDMOSの30非線形モデル....................... 160
5.12概要................................................ .................. 165
5.13キー留意点.......................................... 166
参考資料................................................. .............................. 167
章6は171メモリ効果のシミュレーションと測定
6.1はメモリ効果をシミュレートする...................................... 172
IM6.1.1コンポーネント3正規化................ 172
正規IM6.1.2コンポーネントの3シミュレーション.. 175
6.2はメモリ効果の測定................................ 180
6.2.1テストのセットアップとキャリブレーション............................. 181
6.2.2測定確度.................................. 184
BJT PAにおける6.2.3メモリ効果......................... 185
MESFET PAにおける6.2.4メモリ効果............... 187
6.3メモリ効果と線形化........................... 187
6.4概要................................................ .................. 190
6.5キー留意点.......................................... 191
参考資料................................................. .............................. 192
メモリ効果7の章193キャンセル
7.1エンベロープフィルタリング............................................... ..... 194
7.2インピーダンスの最適化.......................................... 198
7.2.1アクティブ負荷の原理.................................... 199
7.2.2テストのセットアップとそのキャリブレーション........................ 202
エンベロープ周波数で7.2.3最適ZBB
プリディストーションなし.................................. 203
エンベロープ周波数で7.2.4最適ZBB
プリディストーションと........................................ 204
7.3エンベロープインジェクション............................................... .... 207
でのメモリ効果の7.3.1キャンセル
CE BJTアンプ........................................ 209
でのメモリ効果の7.3.2キャンセル
CS MESFETアンプ............................... 211
7.4概要................................................ .................. 217
7.5キー留意点.......................................... 219
参考資料................................................. .............................. 220
付録A:ヴォルテッラ分析221の基礎
リファレンス................................................. ............................... 225
付録B:打ち切り誤差227
付録C:カスケード第二度のためIM3方程式
非線形231
付録D:測定セットアップの245について
リファレンス................................................. ............................... 247
用語集249
について著者253
インデックス255
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